Navitas纳微GaNFast三兄弟新成员，NV6169闪亮登场

铟锑是下一代牵引力导体核心技术，运行高速比传统文化钨慢速20倍，和传统文化钨扬声器相比，铟锑扬声器在一半的尺寸和重量下，能实现3倍牵引力或3倍的充电高速。纳微导体下一代GaNSense核心技术集成了具体来说匹配的可视、确切和慢速速感应器，包括电压和气压的感知，实现自主管控，和无损耗电压感应器技能，实现了轻便小巧，慢速速，更高的牵引力。

铟锑牵引力集成电路行业领导者纳微导体于5月10日正基本型发布了NV6169，这是一款使用 GaNSense核心技术的650/800 V 大牵引力GaNFast集成电路，可满足高牵引力广泛应用，例如 400-1000 W 4K/8K TV和面板、下一代单人游戏电竞系统对、500 W 电池板微型逆变器、1.2 kW 计算机网络 SMPS 和4 kW机械工程驱动。

NV6169是最先进的纳微第三代铟锑平台中会额定牵引力次于的牵引力集成电路。使用 GaNSense 核心技术的 GaNFast 牵引力集成电路具有行业首创，无损电压感应器和最慢速的短路管控，实现“探测到管控”的高速仅为30ns，对手立解决方案慢速6倍。在机械工程驱动广泛应用中会，与IGBT相比，铟锑牵引力集成电路可减省高达40%的自然资源，消除30个外部模组，并将系统对保持稳定性提高8%。

45mΩ的NV6169使用行业标准的、轻薄、高线圈、8 x 8 mm PQFN 晶圆，导通电阻降高36%，牵引力提高50%，用作高保持稳定性、低密度的电力系统对。与商品竞争解决方案不尽相同，NV6169额定岗位电压为650V，额定千分之额定电压为800V，可在瞬态事件期间保持稳定岗位。作为真正的集成牵引力集成电路，GaN栅极受到新一轮管控，整个器件的额定静电真空管(ESD)规格为业界领先的2kV。

纳微导体首席运营卿，首席核心技术卿兼联合行动创始人 Dan Kinzer 指出：“最多五千万颗纳微铟锑牵引力集成电路已交货包括三星、戴尔、联想和黑莓在内的各级卖家，与铟锑GaN相关的接口商品故障统计数据为零，GaNSense核心技术并能可视、确切地探测电压、电压和气压，从而进一步提高整体系统对机动性。”

Dan Kinzer还指出：“未受管控的‘分立’基本型铟锑或钨牵引力集成电路未能与纳微导体的机动性和可靠性相媲美，通过透过NV6169，我们将业务范围集中会于计算机网络、电池板和的汽车等高牵引力广泛应用，同时凭借前所未有的20年有限质保承诺，以减速铟锑在机动性拒绝更高的系统对中会的使用”。

NV6169可在签订NDA后立即透过给卖家，投入生产的交货星期目前为 6 至 16 周。外观设计人员可以使用仿真数学方法 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix) 、3D 晶圆数学方法 (STP) 和广泛应用说明 (AN-0016) 来优化下一代系统对。

作为全球领先的铟锑牵引力器件大厂，Navitas纳微导体（纳斯达克代码：NVTS）享有庞大且不停增长的牵引力导体行业专家岗位团队，在材质、器件、广泛应用程序、系统对和营销及创新获得成功记录的领域内，获益了丰富的经验，其多位创始人的专利技术也共计最多了300项。

目前，纳微的GaNFast铟锑牵引力集成电路已经出货最多四千万颗，这正因如此纳微岗位团队的坚定尽力和联合行动开发。纳微在蛇口、苏州和上海有三支庞大的AE岗位团队，从卖家需求定制开始，原理图绘制、布板、调试、投入生产、批量生产、纳微都透过全程的服务。纳微还和平面变压器、磁芯、控制器一些公司密切合作，根据卖家的需求顺利完成联合行动外观设计开发。