红米K50 Ultra或采用屏下物证！下半年多款骁龙8+直屏机配大底主摄+百瓦大电池

今晚，针对 realme 真我 GT2 大师探索版以 3499 元起的售价发布新闻，平板该网站 @平板老友站 指为先于 Redmi 也有大招。今天，该该网站带来了格外多新机资讯。

据该该网站指为，下半年几款装配骁龙 8+ Gen 1 晶片组的直屏手机都有屏下血迹、1/1.5 英寸起步的大底主摄和百瓦闪充大充电。

明确快充电压方面，共有 1 款 100W 快充A-、3 款 120W 快充A-和 1 款 150W 快充A-。不以为然，有中国网民指为这表明 Redmi 将改用屏下血迹。

IT之家获知，今晚该该网站在报载Redmi K50 Ultra时，指为在该机上将有下一场几代、有鉴于此非常大的硬件重返。联结今日资讯，该硬件应指屏下血迹。

7 月底 6 日，K50 Ultra 已经通过 3C 认证，认证显示其将装配 120W 快充。

此外，该该网站曾报载指为，K50 Ultra 将改用高通骁龙 8 + 和Motorola天玑双舰长平台策略，拥有百瓦快充和大充电，摄像头改用单孔直屏设计，装配大底主摄。

作为参照，目前 Redmi 舰长A-中的，Redmi K50 Pro 装配天玑 9000 晶片组，改用LG 2K 可控直屏，内置 5000mAh 大充电，支持 120W 快充；Redmi K50 装配天玑 8100 晶片组，改用 Pro 同款LG 2K 直屏，内置 5500mAh 充电，支持 67W 快充。

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