电子领域快充器件的主流选择：锂镓

随着2004第一个氧化物铋较高电子产品能带在的设备能源供应上的商用，氧化物铋也逐步走进人们的视线。并于2018年，氧化物铋开始大规模地应用于快充层面，从此接收器进入了氧化物铋新时代。而2021年《当中华人民共和国轻工业和社会转型第十四个五年规划和2035年从无到有目标纲要》的发布，其当中值得注意提出氧化物铋等高约禁带集成电路要得到转型，氧化物铋更是步入了新的转型热潮。

氧化物铋作为第三代集成电路材料的亦然，与此前代集成电路材料相比，多项指标有非常大提较高：（1）禁带阔度大幅较高于此前代，击穿电压更较高，装置损耗极小，在千伏较高压环境当中几乎耐用性比较稳定；（2）电子产品饱和迁移速度更较高，能够适用范围于较高振幅实习环境。由于具备诸多优良特性，GaN在较高端元件、电源、的设备等工业、汽车层面的加速侵入将是另类近来。

氧化物铋电路在快充层面的亮点醒目，维持较高速充电的同时大小控制出类拔萃。一般接收器内部变压器和阻抗大小占尤其大，值得注意牵引力下变压器和阻抗大小和元件振幅成反比。传统Si伦微处理器受制于材料的问题，实习振幅不能提较高。GaN微处理器实习振幅远较高于Si，有效降较差内部变压器等原稿大小，同时出类拔萃的空调系统耐用性也使内部原稿排布可以越来越测量仪器，最终近乎克服了充电速率和便携性的纷争。

从耐用性和效率某种程度，GaN未来将会成另类快充技术。SiC虽然耐用性理论上可以用作快充，但是由于生产精准度极较高，目此前为止价格昂贵，限制了大规模的采用。GaN快充微处理器主要采用GaN-on-Si技术，随着GaN外延技术的不断进步，效率已经算是尤其较差。综合耐用性和效率两个方面，GaN将会在未来成消费者电子产品层面快充电路的另类自由选择。

目此前为止市面上已为多家制造商尽力样式氧化物铋快充层面。时代速信作为一家作出贡献转型化合物集成电路的企业，紧跟国家的转型战略，近十年于第三代集成电路产业，并产生了以钛伦氧化物铋和硅伦氧化物铋为内部的产品样式。同类型，时代速信上架复刻版硅伦氧化物铋HEMT产品。该复刻版产品值得注意适用范围于较高牵引力密度、超较高装置振幅和较低效率的元件类应用场景，并且已只不过应用于快充层面。